현재 사용할 수 있는 Arpelier 기능

공정 흐름 편집

공정 단계를 만들고 순서를 정하며 그룹으로 묶고 수정하거나 계산에서 제외할 수 있습니다. 각 공정의 재료, 마스크, 두께, 형상과 세부 조건을 조절할 수 있으며, 앞 단계를 변경하면 영향을 받는 이후 구조가 다시 계산됩니다.

지원 공정 종류

공개 편집기에서는 아래 공정을 선택할 수 있습니다. 선택할 수 있는 조건은 공정마다 다르며, 형상 모델은 모든 장비와 재료 거동을 표현하는 것이 아니라 명시된 범위 안에서 작동합니다.

SUBSTRATE

공정 흐름의 시작 구조가 되는 기판을 만듭니다.

• 파라미터: 기판 타입과 두께

DEPOSITION

선택한 재료를 현재 구조 위에 증착하며, 필요한 경우 마스크 영역을 적용합니다.

• 파라미터: 재료, 마스크, 두께
• 상세 파라미터: 등방성(측방 성장 비율)

ALD

원자층 증착 막을 형성하며 균일 성장 또는 핵생성 기반의 표면 성장을 모델링할 수 있습니다.

• 파라미터: 재료, 시드 재료, 두께
• 상세 파라미터: 3D 등방성 해석, 막 형성 모델, 표면 거칠기, 난수 시드, 초기 핵 피복률, 추가 핵생성률, 초기 핵 크기, cycle 성장량

SPIN COATING

선택한 재료를 구조 위에 도포해 스핀 코팅 층을 형성합니다.

• 파라미터: 재료와 두께

PARTICLE

크기, 재료와 입사 방향 조건을 지정해 구조 위에 파티클을 배치합니다.

• 파라미터: 파티클 재료, 시드 재료, 파티클 개수, 파티클 지름
• 상세 파라미터: 지름 편차, 접촉각, 입사각 범위, 입사 방향성 지수, 궤적 표시, 랜덤 시드

ETCH

선택한 재료를 지정 깊이만큼 제거하며 마스크와 방향성 프로파일을 적용할 수 있습니다.

• 파라미터: 식각 재료, 마스크, 깊이
• 상세 파라미터: 포지티브 프로파일, 보잉 비율

WET ETCH

습식 식각 형상 모델로 선택한 재료를 제거합니다.

• 파라미터: 식각 재료, 깊이, 심 임계값

CMP

상부 표면을 목표 높이까지 평탄화하며 선택한 재료를 스토퍼로 사용할 수 있습니다.

• 파라미터: 목표 두께, 스토퍼 재료
• 상세 파라미터: dishing 대상 재료, dishing 정도

STRIP

현재 구조에서 선택한 재료를 제거합니다.

• 파라미터: 제거할 재료

PHOTO

마스크로 정의한 포토 패턴을 만들고 단순화된 광학 효과와 OPC를 적용할 수 있습니다.

• 파라미터: 마스크, 두께
• 상세 파라미터: 광학 효과, 광원 파장, 개구수, 노광 임계값, corner/edge correction

IMPLANTATION

주입 깊이와 확산 조건을 지정해 도핑 영역을 만듭니다.

• 파라미터: 도핑 유형, 마스크, 시드 두께
• 상세 파라미터: 주입 깊이, 깊이 퍼짐, 확산 거리, 기존 도핑 확산 여부

OXIDATION

적용 가능한 원재료로부터 산화 영역을 성장시킵니다.

• 파라미터: 산화 두께

MODIFICATION

선택한 원재료를 결과 재료로 변환하고 부피와 반응 방향에 따른 형상 변화를 반영합니다.

• 파라미터: 원재료, 결과 재료, 원재료 소모 두께, 부피 변환비
• 상세 파라미터: 반응 방향성

마스크와 재료

도형과 배열, 정렬 기능을 이용해 마스크를 만들고 편집한 뒤 적용 가능한 공정에 지정할 수 있습니다. 프로젝트 재료를 만들고 설명과 화면 표시 속성을 편집하며 지원되는 공정의 입력으로 사용할 수 있습니다.

3D 구조와 단면

생성된 3D 구조를 회전하고 확대하며 X·Y·Z 방향의 2D 단면을 확인하거나 범위를 선택해 3D 절단 구조를 볼 수 있습니다. 카메라, 단면 위치, 표현 방식, 조명과 그림자 같은 표시 설정은 계산된 구조를 바꾸지 않고 관찰 방법만 조절합니다.

구조 탐색기와 네 가지 탐색 모드

3D 구조와 2D 단면에서 구성, 유래, 변화, 연결 모드를 전환할 수 있습니다. 구성은 재료, 유래는 각 영역의 최초 생성 단계, 변화는 단계 사이 추가·제거·재료 변경, 연결은 금속과 선택한 반도체 재료의 기하학적 연결 노드를 탐색 단위로 사용합니다. 선택한 영역은 가능한 범위에서 모드 사이에 이어지며 각 단위를 강조하거나 투명하게 만들 수 있습니다. 자세한 정의와 한계는 구조 탐색기에서 확인할 수 있습니다.

공정 단계, 공정 시점과 저장 화면

공정 단계와 중간 시점을 이동하며 구조가 어떻게 변하는지 비교할 수 있습니다. 저장된 구조 시점과 화면 상태는 유용한 장면으로 돌아가거나 설명 순서를 구성할 때 활용할 수 있습니다.

프로젝트, 접근 권한과 공유

로그인한 사용자는 클라우드에 프로젝트를 저장하고 다른 이름으로 저장하거나 복제할 수 있습니다. 프로젝트 접근은 비공개, 공개, 공개 + Listed로 구분됩니다. 새 프로젝트와 복제본은 기본적으로 공개이지만 Listed는 꺼져 있어 링크를 가진 사람만 찾아 열 수 있으며 Explore와 검색에는 표시되지 않습니다. 소유자는 이 설정을 언제든 바꾸고, 역할을 지정해 공동 작업자를 추가하며, 링크나 QR 코드로 공유할 수 있습니다.

캡처, 갤러리와 발표 자료

표시된 2D 단면이나 3D 화면을 복사해 다른 자료에 사용할 수 있습니다. 갤러리는 구조 장면과 설명을 순서대로 구성하는 보조 발표 작업공간이며, 갤러리 순서를 PowerPoint 파일로 내보낼 수도 있습니다. 이 기능은 소통을 돕지만 공정 구조 계산의 핵심 모델은 아닙니다.

게스트와 모바일 이용 범위

방문자는 로그인하지 않아도 공식 예제와 자신이 접근할 수 있는 프로젝트를 살펴볼 수 있습니다. 모바일에서는 기존 프로젝트를 확인하고 제한된 임시 조정을 할 수 있는 미리보기 중심 화면을 제공합니다. 변경 내용은 저장되지 않으며 모바일에서 새 프로젝트를 만드는 기능은 현재 제공하지 않습니다. 전체 편집 흐름은 데스크톱에서 이용할 수 있습니다.

계산 범위

Arpelier는 지원되는 공정에 따른 형상 변화를 계산하고 그 결과에서 재료, 생성 출처, 단계 차이와 기하학적 연결을 탐색합니다. 계산 시간과 일부 탐색 모드의 준비 시간은 구조 복잡도와 격자 해상도에 따라 달라질 수 있습니다. 공개 기능은 전기적 특성의 정량 예측, 장비 단위 레시피 예측이나 실제 제작 결과 보증을 뜻하지 않습니다.